Curriculum
Giorgio Vannini si laurea in Ingegneria Elettronica presso l'Università di Bologna nel 1987. Dallo stesso anno è collaboratore alla ricerca nel Dipartimento di Elettronica della medesima Università dove si occupa di metodologie di progetto per circuiti integrati a microonde in collaborazione con Telettra (MI) ed Elettronica (Roma). Lavora inoltre alla nascita del laboratorio di caratterizzazione e progettazione di circuiti integrati monolitici a microonde (MMIC).
Dal 1992 è Ricercatore presso la Facoltà di Ingegneria dell'Università di Bologna, Dipartimento di Elettronica, Informatica e Sistemistica. Nello stesso anno consegue il titolo di Dottore di Ricerca discutendo una tesi su metodologie CAD per il progetto di circuiti integrati a microonde. Dal 1994 al 1998 ha fatto parte anche del Centro CNR IEIIT "Istituto di Elettronica e di Ingegneria Informatica e delle Telecomunicazioni", Bologna, dove è stato responsabile del laboratorio CAD di circuiti MMIC. E' professore di Elettronica, Associato dal 1998 e Ordinario dal 2005 presso la Facoltà di Ingegneria (ora Dipartimento di Ingegneria) dell'Università di Ferrara. E' stato Direttore del Dipartimento di Ingegneria dell'Università di Ferrara dal 2007 al 2015, membro del CdA dal 2010 al 2012 e membro del Senato Accademico dal 2012 al 2015. E' stato membro dal 2012 al 2018 del Comitato Tecnico Scientifico del consorzio MISTER, Laboratorio di MIcro e Submicro Tecnologie abilitanti dell'Emilia Romagna.
Durante la sua carriera accademica è stato docente di Elettronica Analogica, Elettronica Industriale, Circuiti per Telecomunicazioni, Elettronica delle Telecomunicazioni, nonché in corsi avanzati per la progettazione di circuiti integrati a microonde. E’ membro del Collegio di Dottorato in Scienze dell’Ingegneria (Area Ingegneria dell'Informazione), Università di Ferrara ed è stato tutor di numerosi dottori di ricerca. La sua attività scientifica, rivolta principalmente al modeling di dispositivi elettronici, alle tecniche CAD per il progetto di circuiti integrati monolitici a microonde (MMIC) e a tecniche di analisi e progetto di circuiti non lineari, è testimoniata da 300 lavori su rivista e presentazioni a convegni internazionali. Nel 1995, 1998 e 2001, ha ricevuto i premi per i migliori lavori presentati alla 25° European Microwave Conference, al GAAS98 e GAAS2001.
Giorgio Vannini è stato responsabile e ha partecipato a numerosi contratti di ricerca con industrie nazionali ed estere (Alenia, Telettra, Elettronica, Ericsson, ST Microelectronics, Dassault Electronique, UMS, HUAWEI, Sumitomo, ecc.), e progetti di ricerca finanziati da ASI, CNR, MIUR, ESA, UE (ESPRIT, HCM, NoE TARGET, Eurostars).
Giorgio Vannini è membro IEEE, dell’associazione GAAS ed è co-fondatore dello spin-off accademico MEC srl. E’ revisore per diverse riviste internazionali fra cui Trans. on Microwave Theory and Techniques, Trans. on Electron Devices, Trans. on Circuits and Systems, Electron Device Letters, Intern. Journ. on RF and Microwave CAE.
Sommario del Lavoro di Ricerca
L’attività di ricerca inizia alla fine degli anni ottanta. Sono affrontati diversi temi sul CAD di circuiti integrati RF e a microonde: caratterizzazione e modeling non lineare di dispositivi elettronici, tecniche numeriche per l'analisi di circuiti non lineari, metodologie di progettazione per circuiti non lineari (mixer, oscillatori e amplificatori di potenza).
1987 – Ha inizio una ricerca all'avanguardia su modelli non lineari black-box per dispositivi elettronici a microonde in GaAs, dapprima studiando modelli di tipo "Funzione Descrittiva" e successivamente basandosi su approcci per il modeling di sistemi non lineari dinamici (serie di Volterra) [1].
1990 – Viene proposto il "Modello Integrale Non lineare " (NIM) [2,3] (probabilmente il primo modello di dispositivi elettronici che sfrutta direttamente misure per calcolare la risposta dinamica non lineare del dispositivo). Diversi nuovi concetti furono introdotti con il NIM: l’approccio comportamentale al modeling non lineare di transistori, l'introduzione di un modello “masurement based”, la definizione di una “Serie Integrale Non Lineare” [4] (di cui la famosa serie di Volterra è un caso particolare). E' interessante osservare che il lavoro sul NIM è stato riscoperto e molto citato quindici anni dopo la sua introduzione, da diversi autori che si sono occupati di modelli comportamentali.
1991 - Sviluppo di una tecnica numerica per l'analisi dell’intermodulazione in circuiti non lineari a microonde [5,6,7] che ha consentito un enorme miglioramento di tempo di simulazione e occupazione di memoria rendendo possibili analisi circuitali altrimenti impossibili sulle workstation dell’epoca. L'idea di base è stata successivamente applicata per sviluppare tecniche numeriche per l'analisi di circuiti non lineari con eccitazioni modulate digitalmente (e.g., Envelope Circuit Simulation introdotta nel 1995 da HP, ora Keysight Technologies).
1993 - Alla fine degli anni ottanta furono evidenziati i problemi causati da "trappole" ed effetti termici in transistori III-V. Viene proposto un nuovo approccio [8], [9], che trattava consistentemente trappole ed effetti termici introducendo in modo chiaro concetti ancora oggi adottati per il modeling di caratteristiche I/V dinamiche in FET III-V. La ricerca in questo campo è andata avanti con una serie significativa di articoli (e.g. [10]) pubblicati anche su tecnologie in GaN [11].
1999 - Le applicazioni ad onde millimetriche di MMIC mostrano i limiti dei modelli di transistori ad elementi concentrati (descrizione poco accurata di fenomeni di accoppiamento, parassiti e distribuiti). In tale contesto viene proposto un modello empirico distribuito basato su simulazione EM (Metodo dei Momenti) del layout del dispositivo elettronico [12]. L’approccio è stato poi usato per lo sviluppo di diversi modelli e adottato con successo anche per la definizione di modelli di celle FET Cascode [13] e per modelli di rumore in tecnologia GaN [14].
2005 – Inizia lo sviluppo e l’applicazione di un sistema di caratterizzazione I/V dinamica in bassa frequenza [10] che sarà alla base di una intensa attività di ricerca negli anni successivi. Il sistema rappresenta una valida alternativa a misure I/V impulsate per la caratterizzazione di effetti dispersivi (tecnologia GaN in particolare) [15]. E’ stato utilizzato oltre che per il modeling [10,11,16], anche per la caratterizzazione del degrado in transistori [17] e per il progetto di amplificatori di potenza [18,19].
2008 – L’attività sul modeling è continua ed affronta diverse problematiche nell’ambito dei modelli a circuito equivalente [20,21,22] e delle dipendenza termica [23,24].
2009 – L’evoluzione del sistema di caratterizzazione I/V dinamica ina bassa frequenza in un vero e proprio sistema di load-pull [15], e la definizione di una associata metodologia di progetto di amplificatori [18], rappresentano le basi per lo sviluppo della tecnica del “nonlinear embedding/de-embedding” [25,26] e per ricadute in diversi contesti applicativi [19,27,28].
2011 – La ricerca si rivolge anche all’impiego ed alla definizione di tecniche avanzate di misura in regime non lineare e con bias dinamico, con applicazioni al modeling di dispositivi elettronici [29,30,31,32].
2017 a oggi - L'attività di ricerca si sviluppa anche attraverso il trasferimento tecnologico dei sistemi di misura sviluppati (contratti di ricerca con Leonardo, Sumitomo e Integra Technologies) e le attività di modeling si orientano verso transistori di elevata potenza [33] e a onde millimetriche [34].
L'attività di ricerca è stata anche dedicata al progetto di circuiti HMIC e MMIC in collaborazione con diversi partner industriali ed accademici: sensore Doppler MMIC in banda X, mixer cold-FET lineari, amplificatori di potenza GaAs HFET (20 GHz) e GaAs PHEMT (35 GHz), amplificatori di potenza HBT e PHEMT in banda X, amplificatori di potenza in banda L ed X in GaN, LNA PHEMT a larga banda, oscillatori DRO e VCO push-push, ecc..
Il lavoro di ricerca è stato condotto nel contesto di progetti di ricerca nazionali ed internazionali, ed ha anche portato alla fondazione dello spin-off accademico MEC srl nel 2004.
Nel 1995, 1998 e 2001, i lavori presentati alla 25th European Microwave Conference, al GAAS98 e GAAS2001, rispettivamente, hanno ricevuto il "Best Paper Award".
MAIN REFERENCES
[01] F.Filicori, V.A.Monaco, G.Vannini, “Mathematical approaches to electron device modelling for non-linear microwave circuit design: state of the art and present trends”, European Transactions on Telecommunications and related technologies, Vol.1, n.6, pp.641-653, December 1990, invited.
[02] F.Filicori, G.Vannini, “Mathematical approach to large-signal modelling of electron devices”, Electronics Letters, Vol.27, n.4, pp.357-358, February 1991.
[03] F.Filicori, G.Vannini, V.A.Monaco, “A nonlinear integral model of electron devices for HB circuit analysis”, IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, special issue on “Process oriented CAD and modelling”, Vol.40, n.7, pp.1456-1465, July 1992.[04] D.Mirri, G.Iuculano, F.Filicori, G.Pasini, G.Vannini, G.Pellegrini, “A modified Volterra series approach for nonlinear dynamic system modelling”, IEEE Trans. on Circuits and Systems I, Vol.49, n.8, pp.1118-1128, August 2002.
[05] F.Filicori, V.A.Monaco, G.Vannini, “Computationally efficient multitone analysis of non-linear microwave circuits”, Proc. of the 21st European Microwave Conference, Stuttgart, Germany, pp.1550-1555, September 9- 12, 1991.
[06] G. Vannini, F. Filicori, P.A. Traverso, “Tool for efficient intermodulation analysis using conventional HB packages", Electronics Letters, Vol.35, No. 17, pp. 1415-1416, August 1999.
[07] A. Costantini, P.A. Traverso, G. Vannini, “Power amplifier ACPR simulation using standard Harmonic balance tools”, IEEE ISCAS, International Symposium on Circuits and Systems, Scottsdale, Arizona, USA, May 26-29, 2002.
[08] F.Filicori, G.Vannini, A.Mediavilla, A.Tazon, “Modelling of deviations between static and dynamic drain characteristics in GaAs FETs”, Proc. of 23rd European Microwave Conference, Madrid, Spain, pp.454-457, September 6-9, 1993.
[09] F.Filicori, G.Vannini, A.Santarelli, A.Mediavilla, A.Tazon, Y.Newport, “Empirical modelling of low-frequency dispersive effects due to traps and thermal phenomena in III-V FETs”, IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, Vol.43, n.12, pp.2973-2981, December 1995.
[10] A.Raffo, A.Santarelli, P.A.Traverso, G.Vannini, F.Palomba, F.Scappaviva, M.Pagani, F.Filicori, “Accurate PHEMT Nonlinear Modeling in the Presence of Low-Frequency Dispersive Effects”, IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, Vol.53, no.11, pp., Nov 2005.
[11] A.Raffo, V.Vadalà, D.Schreurs, G.Crupi, G.Avolio, A.Caddemi, G.Vannini, "Nonlinear Dispersive Modeling of Electron Devices Oriented to GaN Power Amplifier Design", IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, April 2010.
[12] A.Cidronali, G.Collodi, G.Vannini, A.Santarelli, G.Manes, “A new approach to FET model scaling and MMIC design based on electromagnetic analysis”, IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, Vol.47, no.6, pp. 900-907, June 1999.
[13] D.Resca, J.A.Lonac, R.Cignani, A.Raffo, A.Santarelli, G.Vannini, F.Filicori, “Accurate EM-based Modelling of Cascode FETs”, IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, April 2010.
[14] A.Nalli, A.Raffo, G.Crupi, S.D’Angelo, D.Resca, F.Scappaviva, G.Salvo, A.Caddemi, G.Vannini, “GaN HEMT Noise Model Based on Electro-Magnetic Simulations”, IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, Aug 2015.
[15] A.Raffo, S.Di Falco, V.Vadalà, G.Vannini, “Characterization of GaN HEMT Low-Frequency Dispersion Through a Multi-Harmonic Measurement System”, IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, Sept 2010.
[16] A.Raffo, G.Bosi, V.Vadalà, G.Vannini, “Behavioral Modeling of GaN FETs: a Load-Line Approach”, IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, Jan 2014.
[17] A.Raffo, V.Di Giacomo, P.A. Traverso, A.Santarelli, G.Vannini, "An Automated Measurement System for the Characterization of Electron Device Degradation under Nonlinear Dynamic Regime", IEEE Trans. on Instrumentation and Measurements, Aug 2009.
[18] A.Raffo, F.Scappaviva, G.Vannini, “A New Approach to Microwave Power Amplifier Design Based on the Experimental Characterization of the Intrinsic Electron-Device Load-line”, IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, July 2009.
[19] D.Resca, A.Raffo, S.Di Falco, F.Scappaviva, V.Vadalà, G.Vannini, “X-Band GaN Power Amplifier for Future Generation SAR Systems”, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, April 2014.
[20] G. Crupi, D. Schreurs, A. Raffo, A. Caddemi, G. Vannini, “A New Millimeter Wave Small-Signal Modeling Approach for pHEMTs Accounting for the Output Conductance Time Delay”, IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, April 2008.
[21] G.Crupi, D.Schreurs, A.Caddemi, A.Raffo, F.Vanaverbeke, G.Avolio, G.Vannini, W.De Raedt, “High- Frequency Extraction of the Extrinsic Capacitances for GaN HEMT Technology”, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Jul 2011.
[22] G.Crupi, A.Raffo, A.Caddemi, G.Vannini, “Kink Effect in S22 for GaN and GaAs HEMTs”, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, May 2015.
[23] Z.Marinkovića, G.Crupi, A.Caddemi, G.Avolio, A.Raffo, V.Marković, G.Vannini, D.Schreurs, “Neural Approach for Temperature Dependent Modeling of GaN HEMTs”, International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields, July 2015.
[24] G. Crupi, A. Raffo, G. Avolio, D. Schreurs, G. Vannini, A. Caddemi, “Temperature Influence on GaN HEMT Equivalent Circuit”, IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2016.
[25] V.Vadalà, G.Avolio, A.Raffo, D.Schreurs, G.Vannini, “Nonlinear Embedding and De-embedding Techniques for Large-signal FET Measurements”, Microwave and Optical Technology Letters, Dec 2012.
[26] A. Raffo, V. Vadalà, and G. Vannini, “Nonlinear Embedding and De-embedding: Theory and Applications”, in “Microwave De-embedding: From Theory to Applications”, ISBN 978-0124017009, Academic Press, Oxford, 2013.
[27] V.Vadalà, A.Raffo, S.Di Falco, G.Bosi, A.Nalli, G.Vannini, “A Load-Pull Characterization Technique Accounting for Harmonic Tuning”, IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, July 2013.
[28] A. Raffo, V. Vadalà, G. Bosi, F. Trevisan, G. Avolio, G. Vannini, “Waveform Engineering: State-of-the-Art and Future Trends”, INVITED PAPER, International Journal of RF and Microwave CAE, 2016.
[29] G.Avolio, D.Schreurs, A.Raffo, G.Crupi, I.Angelov, G.Vannini, B.Nauwelaers, “Identification technique of FET model based on vector nonlinear measurements”, Electronics Letters, Vol.47, n.24, p.1323–1324, Nov 2011
.[30] G.Avolio, A.Raffo, I.Angelov, V.Vadalà, G.Crupi, A.Caddemi, G.Vannini, D.Schreurs, “Millimetre-wave FET Nonlinear Modelling Based on the Dynamic-Bias Measurement Technique”, IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, Nov 2014.
[31] G. Avolio, A. Raffo, V. Vadalà, G. Vannini, D. Schreurs, “Dynamic-Bias S-parameters: A New Measurement Technique for Microwave Transistors”, IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, 2016.
[32] V. Vadalà, A. Raffo, G. Avolio, M. Marchetti, D. Schreurs, G. Vannini, "A New Dynamic-Bias Measurement Setup for Nonlinear Transistor Model Identification", IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, 2017.
[33] A. Raffo, V. Vadalà, H. Yamamoto, K. Kikuchi, G. Bosi, N. Ui, K. Inoue, G. Vannini, “A New Modeling Technique for Microwave Multicell Transistors Based on EM Simulations”, IEEE Trans. On Microwave Theory and Techniques, 2020.
[34] V. Vadalà, A. Raffo, A. Colzani, M. Fumagalli, G. Sivverini, G. Bosi, G. Vannini, “Advanced Modelling Techniques Enabling E-Band Power Amplifier Design for 5G Backhauling”, EuMIC2020, European Microwave Week, Jaarbeurs Utrecht, The Netherlands, Virtual Jan 2021.
PROGETTI DI RICERCA
2020-21 Non-linear electro-thermal model for a 26.4mm GaN power-bar
Research contract with Integra Technologies.
2020-23 VISTAM - V band Inter Satellite link solid sTate power Amplifier Module
ESA - Research Contract - In cooperation with SIAE-Microelettronica
2020-24 GaN Transistor Characterization and Modelling using advanced measurement techniques
Research Agreement - Sumitomo Electric Industries, Japan
2019-22 Empowering GaN-on-SiC and GaN-on-Si technologies for the next challenging millimeter-wave applications (GANAPP) PRIN 2017 - Research Project in cooperation with other Italian Universities - MIUR
2019-21 Highly-Integrated GaN MMICs for High-Power and High-Frequency Operation (Hi3GaN)
ASI - Research contract, in cooperation with MEC s.r.l.,
Bando competitivo ASI "Nuove Idee per la Componentistica Spaziale del Futuro" 30.11.2016
2017-20 GaN Transistor Characterization and Modelling under Low-Frequency Large-Signal Operation Research Agreement - Sumitomo Electric Industries, Japan
2018-19 GaN Transistor Characterization by means of Low-Frequency Large-Signal Measurement Setups Research Agreement - Sumitomo Electric Industries, Japan
2016-18 MicromodGaN - High power RF Micro-modules Itar-free, smart and highly-integrated for SSPA market H2020-Eureka Eurostars2 Research Project - in cooperation with MEC srl Italy and TTI Norte Spain
2017-18 Large-Signal Harmonic Characterization and Modeling of GaN FETs Research contract with Leonardo SpA, Rome, Italy
2017 GaN Transistor Characterization and Modelling under Low-Frequency Large-Signal Operation Research Grant - Sumitomo Electric Industries, Japan
2017 Support to the design and industrialization of devices for ultrasound and diathermy therapy Research contract with Emildue s.r.l., Cento, Italy
2016-17 Support to the design and industrialization of a device for ultrasound therapy Research contract with PBG s.r.l., Bologna, Italy
2016-17 Development of power-amplifier mini-modules for next-generation SSPAs Research contract with MEC s.r.l., Bologna, Italy
2014-15 Development of MMIC chipsets for satellite applications Research contract with MEC s.r.l., Bologna, Italy
2014 Design of 27MHz high-power amplifiers Research contract with PBG s.r.l., Italy
2013 Design of GaN MMIC circuits for T/R modules receivers Research contract with MEC s.r.l., Bologna, Italy2013 Design and Testing of a Power Amplifier for Medical Diathermy Research contract with Emildue, Cento, Italy
2012 Characterisation and Modeling of Microwave Transistors for HMIC and MMIC Design Research contract with MEC s.r.l., Bologna, Italy
2012 Design and Testing of a Power Amplifier for Ultrasound Treatment Research contract with Emildue, Cento, Italy
2011-12 Design Techniques for LDMOS FM Power Amplifiers Research contract with ELENOS, Poggio Renatico, Italy
2011 Characterisation of Package and Capacitances of power MOSFETs Research contract with ELENOS, Poggio Renatico, Italy
2011 Device characterisation, Modeling and Design Techniques for wireless MMICs Research Contract with MEC s.r.l., Bologna, Italy
2011-13 Design Techniques for E-band MMICs PhD Scholarship - Huawei Technologies
2010-12 GaN Power Amplfiers for space applications: design, development and testing (PAGaN) ASI - Research contract, in cooperation with MEC s.r.l., Bologna, and Italian Universities
2010 Preliminar design of an I/V measurement system for power MOSFETs Research contract with ELENOS, Poggio Renatico, Italy
2009-11 Design and implementation of an L-band power amplifier for airport and naval radars (RIGENERA) Research Contract with MEC s.r.l., Bologna, Italy
2009 Development of device models and design techniques for space and telecommunication microwave circuits Research Contract with MEC s.r.l., Bologna, Italy
2008-10 Design and implementation of an MMIC X-band Chip Set for second generation T/R modules (PROMIX) ASI - Research contract, in cooperation with MEC s.r.l., Bologna, and Italian Universities
2008 Development of device models and design techniques for space and telecommunication microwave circuits Research Contract with MEC s.r.l., Bologna, Italy
2007-08 On the design of a supervision control system for electrical cars Research Contract with Enerblu, Modena, Italy
2007-08 Non-linear models and design approaches for low-noise high dynamic range integrated radio systems MIUR - Research project, in cooperation with other Italian Universities2006-07 Preliminary design of low-phase-noise integrated VCOs for 2nd generation T-R systems for SAR PayloadsASI - Research contract, in cooperation with Alcatel Alenia Spazio and Italian Universities
2004-08 TARGET - Top Amplifier Research Group in a European TeamNetwork of Excellence, VI EU Framework Program, in cooperation with other European Universities and Research Centers
2004-05 Non-linear noise models and design of low-phase noise oscillators for high performance communication systemsMIUR - Research project, in cooperation with other Italian Universities
2004 Preliminary design of high-efficiency power amplifiers for 2nd generation X-band T-R modules for SAR PayloadsASI - Research contract, in cooperation with Alenia Spazio and Italian Universities
2001-03 Characterization, modeling and Reliability of microwave power semiconductor devices for satellite applicationsASI - Research contract, in cooperation with other Italian Universities
2001-02 Electron device modelling for IMD predictionEricsson - Research contract
2000-02 Structures and design methodologies for microelectronic systems of the next generations MURST - Progetto di ricerca legge 488/92, in cooperation with ST Microelectronics
2000-03 Micro- and Millimeter-wave modules based on multi function MMICsMURST - Progetto di Ricerca Applicata (FRA), in cooperation with SIAE-Microelettronica
The Research Projects listed below were carried out under University of Bologna or CNR affiliations
2000-02 FET Heterostructure Devices with 150nm gate lengthCNR - Progetto di Ricerca Applicata Nanotecnologie, in cooperation with Alenia and other Italian Universities and Research Centers
1998-01 Design of 20 and 35GHz power amplifiersCNR - Progetto di Ricerca Applicata Microelettronica, in cooperation with Alenia and other Italian Universities and Research Centers
1999-00 Characterisation and reliability of InP HEMTs for space applications ASI Contract, in cooperation with other Italian Universities
1998-00 Reliability and failure physics of compound semiconductor electron devicesCNR - Progetto MADESS II, in cooperation with Alenia and other Italian Universities and Research Centers
1998-00 Microwave power devices with high linearity and efficiencyCNR - Progetto MADESS II, in cooperation with Alenia and other Italian Universities and Research Centers
1998-00 Piezoelectric actuators for injection systemsCNR - Progetto MSTA II, in cooperation with Centro Ricerche FIAT and other Italian Universities and Research Centers
1997-99 Development of low-distortion mixersESA/ESTEC Contract, in cooperation with Dassault Electronique
1996-98 Stress prediction versus system operating conditions in microwave GaAs MESFETs ESA/ESTEC Contract, in cooperation with University of Padova
1997 Active device models and CAD methodologies for microwave front-end for phased-array antennasCNR - Progetto coordinato: Microwave front-end for phased-array antennas, in cooperation with other Italian Universities and Research Centers
1996-97 Nonlinear models of active devices for micro- and millimeter-waves Azione Integrata Italia/Spagna, in cooperation with University of Cantabria, Spain
1996-97 Modelling of dispersive effects in III-V transistorsProgetto CNR per la Cooperazione Scientifica e Tecnologica con i Paesi del Mediterraneo, in cooperation with University of Cantabria, Spain; TECHNION, Institute of Technology, Israel
1995-97 Device modelling and circuit designCNR - Progetto strategico: Wide-band Wireless Local Area Networks, in cooperation with other Italian Universities and Research Centers
1996 Electron device models for hyperfrequenciesMURST 40% - Microelectronics for hyperfrequencies, in cooperation with other Italian Universities
1996 Modeling and experimental characterisation of microwave and millimiter-wave active devicesCNR - Progetto coordinato: Characterisation, simulation and modelling of compound semiconductor devices and correlations with processes and materials, in cooperation with other Italian Universities and Research Centers
1996 Algorithms and CAD methodologies for the design of active circuits for high-frequency electronic automotive systemsCNR - Progetto coordinato: Hyperfrequency systems for automotive, in cooperation with other Italian Universities and Research Centers
1995-96 Modeling of low-frequency dispersive effects in III-V FETs ESA/ESTEC Contract
1994-96 Characterisation and modeling of high-speed BJTs SGS-Thomson/CORIMME Contracts
1994-96 Microwave Doppler SensorESPRIT-MEPI, in cooperation with University of Ferrara and LFGM, Bologna
1994-95 Multifunction MMIC for Microwave Wireless Local Area NetworkESPRIT-ISMILE in cooperation with University of Florence, Parma and Logitron, Florence
1994-95 Algorithms and CAD methodologies for the design of active circuits for personal telecommunications CNR project
1993-95 Microwave technology for telecommunicationsHCM - Human Capital and Mobility, in cooperation with other European Universities
1993-95 Active device models and design of microwave integrated circuitsMURST 40%, in cooperation with other Italian Universities
1993-94 Nonlinear models of electron devices for microwave integrated circuitsCNR - Progetto strategico: Solid state electronics, in cooperation with other Italian Universities and Research Centers
1993-94 Modelling of dispersion phenomena in microwave transistorsCNR - Progetto bilaterale, in cooperation with University of Cantabria, Spain
1992-94 HB analysis and design of nonlinear microwave circuits under multitone excitations CNR project
1992-93 Nonlinear Integral Modelling of microwave electron devices ESA/ESTEC Contract
1991-93 CAD and modelling techniques for millimetric devices and integrated circuitsCNR - Progetto speciale: Analysis and design of millimeter-wave devices and circuits, in cooperation with other Italian Universities and Research Centers
1989-92 Algorithms and computer methods applied to numerical simulation of semiconductor devices CNR - Progetto speciale, in cooperation with other Italian Universities and Research Centers
1989-91 Design methodologies for stabilised oscillatorsione Integrata Italia/Spagna, in cooperation with University of Cantabria, Spain
1987-90 Nonlinear Microwave CircuitsCNR - Progetto finalizzato MADESS - Materials and devices for solid state electronics, Theme: Monolithic Integrated Circuits, in cooperation with other Italian Universities, Research Centers and Telettra s.p.a.
